申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2021-01-19

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN114981904B

主分类号：H01G4/30

分类号：H01G4/30;H01L23/532;H01L23/522;H01L21/768;H01G4/33

优先权：["20200120 JP 2020-006848"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a23b在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a23b的厚度方向T上的尺寸TaTb比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有在厚度方向上对置的第一主面以及第二主面；以及电路层，设置于所述半导体基板的所述第一主面上，所述电路层具有：第一电极层，设置于所述半导体基板侧；第二电极层，与所述第一电极层对置设置；电介质层，在剖面中设置于所述第一电极层与所述第二电极层之间；第一外部电极，经由未设置有所述电介质层的第一区域电连接于所述第一电极层，所述电介质层的所述第一区域侧的端部在所述第一电极层侧的面与所述第一电极层接触，在所述电介质层中，所述端部的所述厚度方向上的尺寸比位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的电极间部的所述厚度方向上的尺寸小，所述第一区域是设置于所述电介质层的开口，所述电介质层的所述端部是包围所述开口的边缘部，在所述电介质层的所述端部，所述开口侧的所述厚度方向上的尺寸比与所述开口相反侧的所述厚度方向上的尺寸小，在所述电介质层中，所述端部的所述厚度方向上的尺寸随着朝向所述开口的中心而分阶段地变小，所述电介质层至少在所述电极间部具有多层结构，在所述电介质层中，构成所述端部的层数比构成所述电极间部的层数少。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 半导体装置以及电容装置

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