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申请/专利权人：赛灵思公司
摘要：本文中描述了FinFET晶体管102、104、PN结150及其形成方法400。在一个示例中，描述了一种FinFET晶体管102、104，该FinFET晶体管102、104包括金属栅极208所包裹的沟道区域214，该沟道区域214连接源极区域210和漏极区域212。第一氧化物隔离层112设置在鳍202的第一侧上，而第二氧化物隔离层114设置在鳍202的第二侧上，其中第二侧与第一侧相对。第二氧化物隔离层114的厚度284大于第一氧化物隔离层112的厚度280。
主权项：1.一种PN结，包括：第一P型FinFET晶体管；第一N型FinFET晶体管，与所述第一P型FinFET晶体管相邻设置；第一氧化物隔离层，被设置在形成在衬底中的第一沟槽中，并且所述第一氧化物隔离层将所述第一N型FinFET晶体管与相邻的所述第一P型FinFET晶体管横向分离，所述第一沟槽中的所述第一氧化物隔离层的第一宽度从所述第一N型FinFET延伸到相邻的所述第一P型FinFET，所述第一氧化物隔离层设置在所述第一沟槽中的厚度大于200nm；第二N型FinFET晶体管，与所述第一N型FinFET晶体管相邻设置；以及第二氧化物隔离层，被设置在形成在所述衬底中的第二沟槽中，并且将所述第一N型FinFET晶体管与相邻的所述第二N型FinFET晶体管横向分离，所述第二沟槽中的所述第二氧化物隔离层的第二宽度从所述第一N型FinFET延伸到相邻的所述第二N型FinFET，所述第二氧化物隔离层设置在所述第二沟槽中的厚度小于80nm，所述第二宽度小于所述第一宽度，并且所述第二氧化物隔离层的所述厚度小于所述第一氧化物隔离层的所述厚度的一半。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛灵思公司 使用深隔离的FinFET技术
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