龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种基于锗Ⅲ‑Ⅴ族半导体PN结隧穿效应的单晶体管TCAMMCAM单元，包括PN结结构、沟道结构、栅极介质结构和电极结构，能够在单晶体管上实现搜索功能。本发明利用锗Ⅲ‑Ⅴ族半导体PN结的隧穿效应产生显著的PN结隧穿电流，使晶体管转移特性曲线表现为双极性。通过调节晶体管转移特性曲线阈值电压的漂移实现TCAM三态存储和MCAM多态存储。锗和Ⅲ‑Ⅴ族半导体拥有比硅更小的禁带宽度，能够提供比硅更大的隧穿电流密度，使晶体管转移特性曲线展现出更好的双极性。本发明具有稳定的匹配、失配电流和充足的搜索窗口，保证了基于汉明距离的相似度计算的高度准确性。本发明在高密度高速并行搜索、存内搜索和人工智能应用中具有巨大前景。
主权项：1.基于锗Ⅲ-Ⅴ族半导体PN结隧穿效应的单晶体管TCAMMCAM单元，其特征在于，所述TCAMMCAM单元包括PN结结构、沟道结构、栅极介质结构和电极结构；所述PN结结构为重掺杂型的锗Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，使得晶体管具有双极性转移特性曲线；所述沟道结构为锗Ⅲ-Ⅴ族半导体材料；所述栅极介质结构能够调节晶体管的阈值电压；所述电极结构为晶体管的漏极、源极和栅极，分别作为TCAMMCAM单元的匹配线ML、源线ScL和搜索线SL。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 基于锗/Ⅲ-Ⅴ族半导体PN结隧穿效应的单晶体管TCAM/MCAM单元
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号