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微差压芯片的制造方法与微差压芯片 

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申请/专利权人:苏州敏芯微电子技术股份有限公司

摘要:本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法,其中的制造方法包括:提供衬底,在衬底的一侧形成振膜层;在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层;对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔;在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层,在第一通孔内填充形成第一支撑结构;对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道;释放牺牲层,以形成间隙层;形成绝缘层,绝缘层密封释放孔;在均压通道内对振膜层进行刻蚀,以形成与均压通道连通的均压孔;在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀,以形成背腔,背腔通过均压孔与均压通道连通,以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层,提高产品的可靠性。

主权项:1.一种微差压芯片的制造方法,其特征在于,包括:提供衬底(10),在所述衬底(10)的一侧形成振膜层(30);在所述振膜层(30)背离所述衬底(10)的一侧形成牺牲层(40);对所述牺牲层(40)进行刻蚀,以形成沿所述衬底(10)厚度方向贯穿所述牺牲层(40)的第一通孔(44);在所述牺牲层(40)背离所述衬底(10)的一侧依次形成第二介质层(60)和导电层(70),对所述导电层(70)进行图案化处理,介质材料和导电材料在所述第一通孔(44)内填充形成第一支撑结构(82);依次对所述导电层(70)和所述第二介质层(60)进行刻蚀,以形成沿所述衬底(10)厚度方向贯穿所述第二介质层(60)和导电层(70)的释放孔(81)以及沿所述衬底(10)厚度方向贯穿所述第一支撑结构(82)的均压通道(821),所述释放孔(81)的刻蚀停留至所述牺牲层(40),所述均压通道(821)的刻蚀停留至所述振膜层(30);通过所述释放孔(81)释放所述牺牲层(40),以在所述振膜层(30)与所述第二介质层(60)之间形成间隙层(4);在所述导电层(70)背离所述衬底(10)的一侧形成绝缘层(90),所述绝缘层(90)密封所述释放孔(81),所述间隙层(4)外缘位置具有开口(401),所述间隙层(4)通过所述开口(401)与外界空间连通;在所述均压通道(821)内对所述振膜层(30)进行刻蚀,以在振膜层(30)上形成与所述均压通道(821)连通的均压孔(32);在所述衬底(10)背离所述振膜层(30)的一侧对所述衬底(10)进行刻蚀,以形成背腔(101),所述背腔(101)通过所述均压孔(32)与所述均压通道(821)连通,以得到微压差芯片。

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