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申请/专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司

摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC电池和PERC电池的制作方法。PERC电池包括依次层叠的电池基片、氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层。如此，由于在电池基片设有氧化硅层和三层氮化硅层，故无需采用TMA制作氧化铝层，可以在钝化PERC电池的同时，降低成本并提高工艺的安全性和稳定性。

主权项：1.一种PERC电池的制作方法，其特征在于，包括：采用PECVD法利用硅烷和笑气，在电池基片上沉积氧化硅层；所述氧化硅层的厚度范围为35nm-60nm，折射率范围为1.4-1.48；具体地，沉积功率的范围为8000W-15500W，沉积压力的范围为800mTorr-1300mTorr，沉积占空比的范围为5:100-5:200，沉积时间的范围为220s-500s，硅烷流量的范围为480sccm-600sccm，笑气流量的范围为4000sccm-7000sccm；采用PECVD法利用氨气和硅烷，在所述氧化硅层上沉积第一氮化硅层；所述第一氮化硅层的厚度范围为16nm-20nm，折射率范围为2.16-2.19；具体地，沉积功率的范围为10000W-17500W，沉积压力的范围为1500mTorr-1850mTorr，沉积占空比的范围为5:60-5:95，沉积时间的范围为180s-350s，硅烷流量的范围为800sccm-1300sccm，氨气流量的范围为3600sccm-4600sccm；采用PECVD法利用氨气和硅烷，在所述第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层；所述第二氮化硅层的厚度范围为10nm-13nm，折射率范围为2.06-2.08；具体地，沉积功率的范围为12000W-18500W，沉积压力的范围为1550mTorr-1850mTorr，沉积占空比的范围为5:60-5:95，沉积时间的范围为80s-190s，硅烷流量的范围为800sccm-1300sccm，氨气流量的范围为6500sccm-8500sccm；采用PECVD法利用氨气和硅烷，在所述第二氮化硅层上沉积第三氮化硅层；所述第三氮化硅层的厚度范围为38nm-45nm，折射率范围为2.01-2.05；具体地，沉积功率的范围为12000W-18500W，沉积压力的范围为1550mTorr-1850mTor，沉积占空比的范围为5:60-5:95，沉积时间的范围为150s-300s，硅烷流量的范围为520sccm-800sccm，氨气流量的范围为7500sccm-9900sccm；所述电池基片包括硅衬底，所述氧化硅层、所述第一氮化硅层、所述第二氮化硅层和所述第三氮化硅层依次层叠于所述硅衬底的一侧，所述电池基片还包括设于所述硅衬底另一侧的正面膜层和正面电极。

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