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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，该衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成沟槽型MOS器件，第二区域用于形成终端结构，衬底中形成有器件沟槽和终端沟槽，器件沟槽用于形成沟槽型MOS器件，终端沟槽用于形成终端结构，衬底、器件沟槽和终端沟槽表面形成有第一氧化物层；在器件沟槽和终端沟槽中填充第一多晶硅层；在器件沟槽中形成沟槽型MOS器件，沟槽型MOS器件包括器件沟槽中的第一多晶硅层，形成于第一多晶硅层的周侧的第二多晶硅层，隔离第二多晶硅层和第一多晶硅层、衬底的第二氧化物层；形成层间介电层，层间介电层覆盖沟槽型MOS器件和终端结构；形成沟槽型MOS器件和终端结构的金属引出层。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成沟槽型MOS器件，所述第二区域用于形成终端结构，所述衬底中形成有器件沟槽和终端沟槽，所述器件沟槽用于形成沟槽型MOS器件，所述终端沟槽用于形成终端结构，所述衬底、所述器件沟槽和所述终端沟槽表面形成有第一氧化物层；在所述器件沟槽和所述终端沟槽中填充第一多晶硅层；在所述器件沟槽中形成所述沟槽型MOS器件，所述沟槽型MOS器件包括所述器件沟槽中的第一多晶硅层，形成于第一多晶硅层的周侧的第二多晶硅层，隔离所述第二多晶硅层和第一多晶硅层、衬底的第二氧化物层；形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述沟槽型MOS器件和所述终端结构；形成所述沟槽型MOS器件和所述终端结构的金属引出层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件的制作方法
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