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申请/专利权人:中航凯迈(上海)红外科技有限公司
摘要:本发明公开一种红外探测器用InSb红外光电芯片的钝化方法,其包括以下步骤:对已制作台面或已注入成结的InSb红外光电芯片进行清洗;对清洗后的InSb红外光电芯片进行腐蚀,去除表面自然氧化层,并冲洗干净、吹干;将处理后的InSb红外光电芯片放入磁控溅射镀膜机真空腔中,抽真空处理;向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氧气,对InSb红外光电芯片表面进行氧等离子体氧化处理;停止向磁控溅射镀膜机真空腔内通入氧气,并对真空腔抽真空处理;向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气,在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法依次溅射生长第一ZnS膜层、SiO2膜层、第二ZnS膜层。本发明采用的复合膜层结构能够降低薄膜应力对InSb红外光电芯片性能的影响,确保钝化效果。
主权项:1.一种红外探测器用InSb红外光电芯片的钝化方法,其特征是:其包括以下步骤:S1、对已制作台面或已注入成结的InSb红外光电芯片使用清洗剂进行清洗;S2、对步骤S1清洗后的InSb红外光电芯片使用缓冲氢氟酸进行腐蚀,去除表面自然氧化层,并用去离子水冲洗干净,再使用氮气枪吹干;S3、将步骤S2处理后的InSb红外光电芯片放入磁控溅射镀膜机真空腔中,抽真空至压强小于5×10-5Pa;S4、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氧气,氧气流量为30~60sccm,真空腔内压强维持在1~3Pa,加载反溅射功率200~300W,对磁控溅射镀膜机真空腔中的InSb红外光电芯片表面进行氧等离子体氧化处理,持续时间10~15分钟;S5、停止向磁控溅射镀膜机真空腔内通入氧气,并对真空腔抽真空至压强小于5×10-5Pa;S6、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气,在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法溅射生长第一ZnS膜层;S7、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气,在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法溅射生长SiO2膜层;S8、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气,在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法溅射生长第二ZnS膜层。
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