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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：公开了一种半导体激光器，包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层，所述上限制层和下限制层构成空穴与电子平衡结构，所述空穴与电子平衡结构包括AlInGaN、AlGaN、InGaN、AlN、AlInN、InGaN、GaN，所述上限制层和下限制层均具有特定设计的Mg、Si掺杂浓度分布、Al、In、C、H和O元素分布以及变化角度，所述上限制层的Al元素分布呈函数y＝exsinx曲线分布，Mg掺杂浓度分布呈函数y＝ex‑x曲线分布，H元素分布呈函数y＝ax‑1ax+1曲线分布，O元素分布呈y＝sinxx2曲线分布，C元素分布呈y＝excosx的第三象限曲线分布，从而使本发明的半导体紫外激光器降低Mg激活能并提升Mg离化效率，提升空穴注入有源层的效率和电子注入有源层的效率，提升紫外激光器的斜率效率和激光效率。
主权项：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层和所述下限制层构成空穴与电子平衡结构，所述空穴与电子平衡结构包括AlInGaN、AlGaN、InGaN、AlN、AlInN、InGaN、GaN的任意一种或任意组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体激光器
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