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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明提供一种WxNbSe2超导单晶及其制备方法，涉及NbSe2超导单晶制备技术领域，以硒粉、铌粉、钨粉为单质原料，先制备前驱体，然后将前驱体与无毒输运剂通过化学气相输运法经高温烧结制备WxNbSe2超导单晶，由于NbSe2层间是较弱的范德瓦尔斯力，在NbSe2层间插入非磁性过渡金属，以改变2H‑NbSe2的结构和电子相，通过将W插层进NbSe2后对超导性进行调节，以适应不同的电子器件。上述制备方法简单，保障了实验人员的安全；另一方面，本发明的的各组分超导单晶转变温度较高，超导展宽较小，单晶质量较好。
主权项：1.一种WxNbSe2超导单晶，其特征在于，W插层NbSe2构成WxNbSe2超导单晶；其中：0x≤0.2。
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权利要求：
百度查询： 上海大学 WxNbSe2超导单晶及其制备方法
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