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单晶锭生长控制装置 

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申请/专利权人:爱思开矽得荣株式会社

摘要:本发明提供了一种单晶锭生长控制装置,应用于锭的直径生长至目标直径的主体过程中,所述单晶锭生长控制装置包括:输入单元,向该输入单元输入锭的测量直径D与目标直径D_T之间的差值,即直径误差ΔD;计算单元,所述计算单元对由所述输入单元输入的直径误差ΔD进行实时积分计算,并且映射直径误差的积分值∫ΔD以计算对于逐步增加的每个设置时间t的最终提拉速度PS_F;以及输出单元,所述输出单元在该设置时间t期间,将所述计算单元计算的最终提拉速度PS_F输出到提拉控制器。

主权项:1.一种单晶锭生长控制装置,应用于锭的直径生长至目标直径的主体过程中,所述单晶锭生长控制装置包括:输入单元,接收直径误差ΔD,所述直径误差为锭的测量直径D与目标直径D_T之间的差值;计算单元,对所述输入单元接收的所述直径误差ΔD进行实时积分计算,并且通过映射直径误差的积分值∫ΔD来计算对于逐步增加的每个设定时间t的最终提拉速度PS_F;以及输出单元,在所述设定时间t期间,将所述计算单元计算的所述最终提拉速度PS_F输出到提拉控制器;其中,当所述直径误差的积分值为正或负时,所述计算单元选择与所述直径误差的积分值的波动数成比例地逐步增加设定时间;当正的直径误差积分值连续增加时,所述计算单元选择将第一设定时间逐步增加,并且当负的直径误差连续减小时,所述计算单元选择将第二设定时间逐步增加;所述第二设定时间长于所述第一设定时间。

全文数据:

权利要求:

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