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申请/专利权人：中国科学院近代物理研究所
摘要：本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法，属于核靶制备技术领域。制备方法包括：在基体上制备碳膜，得到镀有碳膜的基体；在碳膜上制备镉膜，将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中，真空条件下蒸镀镉，蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压，得到碳膜上镀有镉膜的基体；基体脱膜，对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜；镉靶制备，通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法，成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶，镉材料均匀沉积在碳膜上，并且可操作性和实用性强。
主权项：1.一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶的制备方法，其特征在于，包括：在基体上制备碳膜，得到镀有碳膜的基体；在碳膜上制备镉膜，将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中，真空条件下蒸镀镉，蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压，得到碳膜上镀有镉膜的基体；脱膜，对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜；镉靶制备，通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院近代物理研究所 一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法
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