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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供能够抑制衬底的翘曲的技术。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；第一气体供给机构，其向衬底的表面供给成膜气体；第二气体供给机构，其向衬底的背面供给成膜气体；衬底加热台，其对处理室内的衬底进行加热；升降机构，其至少在第一位置与第二位置之间使衬底升降，其中，第一位置是能够向处理室内外搬运衬底的位置，第二位置是比第一位置接近衬底加热台且不与衬底加热台接触的位置；和控制部，其构成为能够控制第一气体供给机构、第二气体供给机构、衬底加热台及升降机构，以在第二位置处一边对衬底进行加热一边在衬底的两面形成膜。
主权项：1.衬底处理装置，其具备：处理室，其对衬底进行处理；第一气体供给机构，其向所述衬底的表面供给成膜气体；第二气体供给机构，其向所述衬底的背面供给成膜气体；衬底加热台，其对所述处理室内的所述衬底进行加热；升降机构，其至少在第一位置与第二位置之间使所述衬底升降，其中，所述第一位置是能够向所述处理室内外搬运所述衬底的位置，所述第二位置是比所述第一位置接近所述衬底加热台且不与所述衬底加热台接触的位置；和控制部，其构成为能够控制所述第一气体供给机构、所述第二气体供给机构、所述衬底加热台及所述升降机构，以在所述第二位置处一边对所述衬底进行加热一边在所述衬底的两面形成膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
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