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申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种复合衬底及其制备方法，复合衬底包括基底，位于基底上的高阻层，高阻层包括依次层叠设置的第一低温AlN层、高温AlN层和第二低温AlN层，以及位于高阻层远离基底一侧的生长衬底。本发明提供的复合衬底中第一低温AlN层可减小高温AlN层受到的张应力，降低位错，提高高温AlN层晶体质量，确保电阻率；第二低温AlN层形成于高温AlN层上，第二低温AlN层充当高温AlN层的保护层，以避免高温AlN层中的Al向生长衬底中扩散，保护高温AlN层的晶体质量且提高高阻层与生长衬底间的键合效果；大幅提高复合衬底的稳定性及可靠性。
主权项：1.一种复合衬底，其特征在于，包括：基底1；位于所述基底1上的高阻层2，所述高阻层2包括依次层叠设置的第一低温AlN层21、高温AlN层22和第二低温AlN层23；以及位于所述高阻层2远离所述基底1一侧的生长衬底3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 一种复合衬底及其制备方法
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