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申请/专利权人：江苏格瑞宝电子有限公司

摘要：本发明公开了一种解决SGT‑MOSFET栅极多晶硅刻蚀穿通的工艺方法，包括如下步骤：在基片上外延生长外延层，并在外延层上生长一层掩蔽层；淀积一层光刻胶，进行沟槽光刻，刻蚀出沟槽刻蚀窗口；进行深沟槽刻蚀，进行牺牲氧化，再生长出一层场氧化层；淀积屏蔽栅多晶硅，对屏蔽栅多晶硅进行刻蚀，掩蔽层回刻，在沟槽内淀积二氧化硅隔离层，刻蚀沟槽内二氧化硅隔离层，去除掩蔽层；生长栅氧化层，淀积栅极多晶硅，淀积离子注入二氧化硅掩蔽层，离子注入栅极多晶硅，去除离子注入二氧化硅掩蔽层，栅极多晶硅回刻至与硅表面齐平。本发明可消除栅极多晶硅的V字形，能有效解决栅极多晶硅因接触孔刻蚀穿通的问题。

主权项：1.一种解决SGTMOSFET栅极多晶硅刻蚀穿通的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）、根据MOSFET的特性需求选择外延圆片，该圆片由低范围电阻率的基片和定值电阻率的外延层组成，在基片上进行外延生长形成一外延层（1），并在外延层上生长一层掩蔽层（2）；所述步骤（1）中MOSFET为100VNMOS，低范围电阻率为0.001~0.003Ohm.cm，外延层的定值电阻率为0.3Ohm.cm；（2）、在掩蔽层（2）上淀积一层光刻胶（3），进行沟槽光刻，并对光刻胶和掩蔽层进行刻蚀，刻蚀出沟槽刻蚀窗口（4）；（3）、去除光刻胶，利用掩蔽层对沟槽刻蚀窗口进行深沟槽刻蚀，在掩蔽层的掩蔽作用下形成深沟槽（5）；（4）、对外延层表面进行牺牲氧化，并去掉氧化层；再在深沟槽侧壁和底部生长出一层场氧化层（6）；（5）、淀积屏蔽栅多晶硅（7），屏蔽栅多晶硅将深沟槽填充满，同时在掩蔽层表面淀积一层屏蔽栅多晶硅；（6）、对屏蔽栅多晶硅进行刻蚀，深沟槽内屏蔽栅多晶硅被刻蚀至硅表面以下，且刻蚀掉掩蔽层表面的一层屏蔽栅多晶硅；（7）、掩蔽层回刻，使掩蔽层的边界与沟槽边界上下对齐；（8）、在沟槽内淀积二氧化硅隔离层（8），然后采用化学机械研磨工艺减薄至与掩蔽层（2）齐平；（9）、刻蚀沟槽内二氧化硅隔离层至屏蔽栅上方一定距离处，并形成栅沟槽（9），然后去除掩蔽层（2）；（10）、生长栅氧化层，在栅沟槽两边侧壁以及硅表面形成栅氧（10）；（11）、淀积栅极多晶硅（11），沟槽处的栅多晶硅呈现V字形；（12）、淀积离子注入二氧化硅掩蔽层（12），并采用化学机械研磨工艺露出栅极多晶硅表面，V字形处保留二氧化硅并填平；（13）、离子注入栅极多晶硅；（14）、去除离子注入二氧化硅掩蔽层，栅极多晶硅回刻至与硅表面齐平。

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