龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制作方法，其中该半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中岛状图案的上表面靠近沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在岛状图案的上表面除转角区之外的区域；保护层，覆盖在沟槽的侧壁、底面、转角区以及图案化衬氧化层的侧边表面，其中保护层从沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；隔离结构，位于沟槽内。本公开保护层从沟槽的侧壁延伸到岛状图案的上表面而形成转角，以便转角区的岛状图案可以得到保护层的保护，避免在后续工艺中被氧化掏空造成半导体器件通道的载流子下降，抑制岛状图案边界效应，并能够为后续工艺提供面积更大的接触着陆区。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；于所述半导体衬底上沉积表面氧化层及硬掩膜，并经构图工艺将所述硬掩膜形成图案化硬掩膜，将所述表面氧化层形成图案化衬氧化层，在所述半导体衬底中形成交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区，所述图案化衬氧化层覆盖所述岛状图案，所述图案化硬掩膜覆盖所述图案化衬氧化层；对所述图案化衬氧化层的外露侧边进行横向刻蚀，以显露所述转角区；在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区以及所述图案化衬氧化层横向刻蚀后的侧边表面形成保护层，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述岛状图案的上表面而形成转角；在所述沟槽内形成隔离结构；去除部分所述隔离结构，包括对所述隔离结构进行平坦化研磨；形成第二氮化硅层；以及在所述岛状图案对应的位置，通过构图工艺对所述第二氮化硅层和所述保护层进行刻蚀形成过孔，其中所述过孔的底部与所述岛状图案连通形成接触着陆区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号