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申请/专利权人：佳能株式会社
摘要：本发明涉及检测器和检测系统。检测器包括基板和形成在基板的主表面上方的绝缘膜。基板包括转换元件部分和部署在主表面的凹陷部分中的绝缘体区域。转换元件部分包括形成在主表面上并且具有第一导电类型的第一半导体区域、形成在主表面上并且具有第二导电类型的第二半导体区域、以及形成在第一半导体区域和第二半导体区域下方并且具有第一导电类型的第三半导体区域。在对于主表面的平面图中，绝缘体区域在至少一个方向上位于第一半导体区域与第二半导体区域之间。
主权项：1.一种检测器，包括：基板；以及绝缘膜，所述绝缘膜被形成在所述基板的主表面上方，其中所述基板包括转换元件部分，所述转换元件部分被配置为将能量射线转换成信号电荷，以及绝缘体区域，所述绝缘体区域被部署在所述主表面的凹陷部分中，其中所述转换元件部分包括第一半导体区域，所述第一半导体区域被形成在所述主表面上并且具有第一导电类型，在所述第一导电类型中，与所述信号电荷相同的极性的电荷被用作多数载流子，第二半导体区域，所述第二半导体区域被形成在所述主表面上并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，以及第三半导体区域，所述第三半导体区域被形成在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域下方，具有所述第一导电类型，并且具有比所述第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度，并且其中在对于所述主表面的平面图中，所述绝缘体区域在至少一个方向上位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。
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