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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要：本发明提供一种超结器件及其制造方法，在沟槽的内表面上覆盖一层高掺杂的N型高掺杂层，由此在沟槽中外延生长形成第二导电类型柱即形成交替排列的P型柱和N型柱之后，即使后续工艺存在不可避免的热过程，也可利用该N型高掺杂层来对P型柱向N型柱区方向扩散的P型杂质进行中和与阻挡，从而可以避免P型柱区存在更大范围的浓度偏淡区域、N型柱区范围减小的问题，进而能够在不影响超结器件的其他器件参数的提下，使器件的导通电阻达到甚至低于预期。
主权项：1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成第一导电类型的第一半导体外延层；刻蚀所述第一半导体外延层，以形成若干沟槽，且所述沟槽之间的所述第一半导体外延层形成第一导电类型柱；在各个所述沟槽内表面上形成N型高掺杂层；在各个所述沟槽中填充第二导电类型的第二半导体外延层，以形成第二导电类型柱；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型反型，一者为P型时另一者为N型，第一导电类型柱和第二导电类型柱中一者为P型柱时另一者为N型柱，所述N型高掺杂层的N型杂质掺杂浓度分别高于P型柱的P型杂质掺杂浓度和N型柱的N型杂质掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 超结器件及制造方法
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