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申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司

摘要：本发明涉及一种高可靠性超结功率半导体结构及制造方法，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第二导电类型柱、第一导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型第二外延层、第一导电类型源区、栅氧层、栅极多晶硅、绝缘介质层、场氧层、栅极总线多晶硅、第二导电类型阱区与源极金属。本发明结构的第一导电类型第二外延层内不存在填充的缺陷，器件表面的电场不会受到明显的影响，降低器件的漏电，提升了器件的可靠性；本发明的制造工艺与现有工艺兼容降低制造成本。

主权项：1.一种高可靠性超结功率半导体结构，包括漏极金属（1）、位于漏极金属（1）上的第一导电类型衬底（2）及位于第一导电类型衬底（2）上的第一导电类型第一外延层（3），将第一导电类型第一外延层（3）的中部作为器件的有源区（001），将有源区（001）的外围作为器件的终端区（002），在第一导电类型第一外延层（3）内呈间隔设置有第二导电类型柱（4），在相邻的第二导电类型柱（4）之间设置第一导电类型柱（5）；在位于有源区（001）内的第二导电类型柱（4）的上方设有第二导电类型体区（6），在第二导电类型体区（6）内设有第一导电类型源区（8），在位于终端区（002）内的第二导电类型柱（4）的上方设有第二导电类型阱区（14）；其特征是：在第一导电类型柱（5）的上方设有第一导电类型第二外延层（7），在位于有源区（001）内的第二导电类型体区（6）、第一导电类型第二外延层（7）与第一导电类型源区（8）的上方设有栅氧层（9），在栅氧层（9）的上方设有栅极多晶硅（10），在栅极多晶硅（10）的上方设有绝缘介质层（11）；在位于终端区（002）内的第一导电类型第二外延层（7）与第二导电类型阱区（14）的上方设有场氧层（12），在场氧层（12）的上方并靠近有源区（001）的位置处设有栅极总线多晶硅（13），在栅极总线多晶硅（13）的上方设有绝缘介质层（11）；在所述绝缘介质层（11）的上方设有源极金属（15），源极金属（15）覆盖在位于有源区（001）内的绝缘介质层（11）的表面并覆盖位于终端区（002）内的且与有源区（001）相邻的绝缘介质层（11）的表面，源极金属（15）通过通孔与第一导电类型源区（8）、第二导电类型体区（6）欧姆接触；所述第一导电类型第二外延层（7）的第一导电类型杂质的浓度范围为0~1e18每立方厘米；所述第一导电类型第二外延层（7）的厚度范围为0.1~10微米。

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