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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
摘要：本申请提供一种隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆，属于半导体集成电路技术领域。所述器件包括衬底，以及第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰。
主权项：1.一种隔离电容器件，包括衬底，其特征在于，所述隔离电容器件还包括：第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆
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