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申请/专利权人：天府兴隆湖实验室
摘要：本申请提供了一种铝膜溅镀方法及铝膜，所述铝膜溅镀方法包括对基片的冷却处理步骤，所述冷却处理包括如下步骤：第一冷却处理，其以第一平均冷却速度将基片的温度冷却至25摄氏度，第二冷却处理，其以第二平均冷却速度将基片的温度冷却至目标冷却温度，所述第一平均冷却速度高于上述第二平均冷却速度，本申请对于基片增加了程序冷却步骤，通过控制冷却的速度和时间，将冷却分成两段进行，通过两阶段的铝膜溅射过程，控制铝膜生长过程，仅需要单靶材溅射可达到降低铝膜粗糙度及介电常数可控的双重技术效果，本申请技术方案简单，技术效果好。
主权项：1.一种铝膜溅镀方法，所述铝膜是通过铝靶材向基片溅射而得到，其特征在于：所述铝膜溅镀方法包括对基片的冷却处理步骤，所述冷却处理可将基片冷却至10~22℃，所述冷却时间为5~15min，所述冷却处理包括如下步骤：第一冷却处理，其以第一平均冷却速度将基片的温度冷却至25摄氏度，所需的时间为第一冷却时间，进行一次溅射；第二冷却处理，其以第二平均冷却速度将基片的温度冷却至目标冷却温度，所需的时间为第二冷却时间，在进行第二冷却处理的同时进行二次溅射，得到目标铝膜；所述第一平均冷却速度高于上述第二平均冷却速度；所述第一冷却时间低于所述第二冷却时间。
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