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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有较低米勒电容的SiCVDMOSFET器件，包括包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、栅极、源极以及半导体基层，其中半导体基层包括衬底层、碳化硅外延层、P体区以及N体区；所述半导体基层的中间区域开设有沟槽，其中沟槽将P体区、N体区分为两个部分，所述栅极位于沟槽的内部，并且栅极的截面呈‘V’字形状。本发明通过将栅极设计成‘V’形瓦片状，并且与之对应的漏极则设计成中间高、两侧成方波状的设计，即可以保证栅极位置处沟道的形成，同时也会增大栅极、漏极之间电荷寄生的难度，该设计可以有效降低该MOS半导体的米勒电容。
主权项：1.一种具有较低米勒电容的SiCVDMOSFET器件，包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，其特征在于：所述MOS元胞结构包括漏极1、栅极8、源极10以及半导体基层，其中半导体基层包括衬底层2、碳化硅外延层3、P体区以及N体区；所述半导体基层的中间区域开设有沟槽9，其中沟槽9将P体区、N体区分为两个部分，所述栅极8位于沟槽9的内部，并且栅极8的截面呈‘V’字形状；单个所述MOS元胞中的漏极1呈中间高、两侧低洼的形状，其漏极1的中间高亢区域长度与沟槽9的长度一致；所述漏极1的左右两侧设计呈高低起伏的方波形状。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种具有较低米勒电容的SiC VDMOSFET器件
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