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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片，该电路包括：驱动电阻串联在驱动正极与控制端之间，驱动正极用于与半桥驱动芯片的输出正极连接，驱动负极用于与MOS或IGBT的源极、以及半桥驱动芯片的输出负极连接，控制端用于与MOS或IGBT的栅极连接；驱动检测触发电路内设置有基准电压，用于在驱动正极的输入电压低于基准电压时，控制米勒反冲抑制钳位电路工作；米勒反冲抑制钳位电路为三极管钳位电路，并联在MOS或IGBT的栅极与源极的两端，用于在工作时吸收MOS或IGBT产生的米勒电容位移电流，并将MOS或IGBT的栅极电压钳位至0V；本发明广泛应用于各类半桥式或相近拓扑结构的电源、电机驱动等领域，有效解决因米勒电容而引发的上下桥误导通问题。
主权项：1.一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，电连接在MOS驱动结构的半桥驱动芯片与MOS或IGBT之间；包括驱动正极、驱动负极、控制端、驱动电阻、驱动检测触发电路以及米勒反冲抑制钳位电路；所述驱动电阻串联在所述驱动正极与所述控制端之间；所述驱动正极用于与所述半桥驱动芯片的输出正极连接，所述驱动负极用于与所述MOS或所述IGBT的源极、以及所述半桥驱动芯片的输出负极连接，所述控制端用于与所述MOS或所述IGBT的栅极连接；所述驱动检测触发电路内设置有基准电压，用于在所述驱动正极的输入电压低于所述基准电压时，控制所述米勒反冲抑制钳位电路工作；所述米勒反冲抑制钳位电路为三极管钳位电路，并联在所述MOS或所述IGBT的栅极与源极的两端，用于在工作时吸收所述MOS或所述IGBT产生的米勒电容位移电流，并将所述MOS或所述IGBT的栅极电压钳位至0V；还包括延时反馈电路；所述延时反馈电路与所述驱动检测触发电路和所述米勒反冲抑制钳位电路连接，用于与所述驱动检测触发电路配合形成一个具有延时效应的下降沿触发器；所述下降沿触发器的输出信号为一个单次方波脉冲，在所述单次方波脉冲为高电平时，用于开启所述米勒反冲抑制钳位电路，在所述单次方波脉冲为低电平时，用于关闭所述米勒反冲抑制钳位电路。
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权利要求：
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