龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种OTP器件的制备方法，应用于半导体制备技术领域。本发明的制备方法，在本发明中，为了保证最终用于保护浮栅区内的浮栅层的SAB层的厚度达到设计要求，首先在SAB的初始形成时就其形成的厚度增厚，而增厚的具体厚度即为第四次去除工艺过程中所需要去除的SAB层的厚度，然后再调整浮栅区内的硬掩膜层的去除工艺和选择栅区内SAB层的湿法刻蚀工艺的顺序，即在对选择栅区的SAB层进行干法刻蚀后，是在选择栅中还残留部分SAB层的情况下，先对浮栅区内的硬掩膜层进行去除，之后再将选择栅区内剩余的SAB层和浮栅区内的SAB层同步进行湿法刻蚀，以去除完选择栅内全部的SAB层，保证了选择栅区内第一侧墙的完整性。
主权项：1.一种OTP器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括选择栅区和浮栅区，所述选择栅区的基底上形成有选择栅氧化层、选择栅层及第一侧墙，所述浮栅区的基底上形成有浮栅氧化层、浮栅层及第二侧墙；形成SAB层和硬掩膜层于所述选择栅层、第一侧墙、浮栅层、第二侧墙及所述第一侧墙和第二侧墙之间露出的基底上；形成光刻胶层于所述硬掩膜层上，以在遮蔽所述浮栅区的同时露出所述选择栅区；对所述基底进行第一次去除工艺，以去除所述选择栅区内的全部所述硬掩膜层和部分所述SAB层；对所述基底进行第二次去除工艺，以去除所述光刻胶层并露出所述浮栅区内的硬掩膜层；对所述基底进行第三次去除工艺，以去除所述浮栅区露出的所述硬掩膜层；对所述基底进行第四次去除工艺，以去除所述选择栅区内剩余的全部SAB层露出所述选择栅层和所述第一侧墙，并同时去除所述浮栅区内的部分SAB层以残留部分SAB层遮蔽所述浮栅层和所述第二侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种OTP器件的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号