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申请/专利权人：合肥工业大学
摘要：本发明涉及辐射测温中的发射率测量技术领域，公开了基于FTIR光谱仪的非透明材料的法向光谱发射率测量方法。该方法先利用黑体炉对FTIR光谱仪进行标定；设定高温炉的温控程序；将非透明材料的样品置于高温炉内，对高温炉内进行抽真空操作，直至高温炉内气压稳定在预设气压区间；再按照温控程序启动高温炉对样品表面进行加热，在每个温度点利用光谱仪测得样品表面的辐射强度并保存数据；最后结合线性拟合关系，计算样品的法向光谱发射率。本发明消除了仪器误差和仪器内部辐射源对测量结果的影响，还消除了样品反射的环境辐射信号对测量结果的干扰，从而提高非透明材料的法向发射率计算精度。
主权项：1.基于FTIR光谱仪的非透明材料的法向光谱发射率测量方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.利用黑体炉对FTIR光谱仪进行标定，得到光谱仪测得的辐射强度数据与黑体炉实际发出的辐射强度数据的线性拟合关系；S2.设定高温炉的温控程序：在预设的温度起点Tmin至温度终点Tmax的温度范围内，以温度值T’为增量设置n个温度点，n＝Tmax-TminT’，并在每个温度点后设置预设时长的稳定时间和测量记录时间；S3.将非透明材料的样品置于高温炉内，对高温炉内进行抽真空操作，直至高温炉内气压稳定在预设气压区间；S4.按照步骤S2中的温控程序启动高温炉对样品表面进行加热，在每个温度点利用所述光谱仪测得样品表面的辐射强度并保存数据；S5.结合步骤S1得到的所述线性拟合关系，计算样品的法向光谱发射率： 式中，ελ,TS表示在波长λ和样品表面温度TS条件下，样品的法向光谱发射率；Iλ,TS表示在波长λ和样品表面温度TS条件下，光谱仪测得样品表面的辐射强度；Eλ,TS表示在波长λ和温度TS条件下，黑体炉实际发出的黑体辐射强度；Eλ,Tamb表示在波长λ和环境温度Tamb条件下，黑体炉实际发出的黑体辐射强度；Kλ和Bλ表示光谱仪的仪器系数。
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百度查询： 合肥工业大学 基于FTIR光谱仪的非透明材料的法向光谱发射率测量方法
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