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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：在本发明的等离子体处理装置中，从偏置电源向基片支承部供给电偏置能量。从高频电源向高频电极供给生成源高频电功率。高频电源从多个频率集中选择根据所指定的处理得到的初始频率集。高频电源在第一期间使用初始频率集所包括的多个频率来作为电偏置能量的波形周期内的多个相位期间的每一个用的生成源高频电功率的多个生成源频率。高频电源在第二期间调节电偏置能量的波形周期内的多个相位期间的每一个用的生成源高频电功率的多个生成源频率。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；设置在所述腔室内的基片支承部；与所述基片支承部电耦合的偏置电源，该偏置电源构成为能够产生电偏置能量，该电偏置能量具有偏置频率，该电偏置能量的波形周期具有该偏置频率的倒数的时间长度；和与高频电极电连接的高频电源，该高频电源构成为能够产生生成源高频电功率以在所述腔室内由气体生成等离子体，所述高频电源构成为，能够选择根据所指定的处理得到的初始频率集，在第一期间中，使用所述初始频率集中包括的多个频率，作为用于所述电偏置能量的波形周期内的多个相位期间的每一个的所述生成源高频电功率的多个生成源频率，在所述第一期间之后的第二期间中，调节用于所述电偏置能量的波形周期内的所述多个相位期间的每一个的所述生成源高频电功率的所述多个生成源频率，以降低所述生成源高频电功率的来自负载的反射波的功率水平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、电源系统、控制方法、程序和存储介质
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