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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种磁性随机存取存储单元以及存储器，存储单元包括：自旋轨道扭矩层，用于在对磁性随机存取存储单元进行写操作时流经写入电流；磁隧道结，位于自旋轨道扭矩层上；第一底部插塞，位于自旋轨道扭矩层底部且与自旋轨道扭矩层的一端相接触；第二底部插塞，位于自旋轨道扭矩层底部且与第一底部插塞之间具有间隔，第二底部插塞与自旋轨道扭矩层的另一端相接触；且第二底部插塞和第一底部插塞的排布方向与磁隧道结的磁矩方向之间具有锐角夹角。本发明实施例在提高MRAM的读写速度的同时，还无需外加磁场便实现磁隧道结中磁自由层的磁矩翻转，有利于实现MRAM的生产及应用，并简化MRAM的结构，提升MRAM的性能。
主权项：1.一种磁性随机存取存储单元，其特征在于，包括：自旋轨道扭矩层，用于在对磁性随机存取存储单元进行写操作时流经写入电流；磁隧道结，位于所述自旋轨道扭矩层上；第一底部插塞，位于所述自旋轨道扭矩层底部且与所述自旋轨道扭矩层的一端相接触；第二底部插塞，位于所述自旋轨道扭矩层底部且与第一底部插塞之间具有间隔，所述第二底部插塞与所述自旋轨道扭矩层的另一端相接触；且所述第二底部插塞和所述第一底部插塞的排布方向与所述磁隧道结的磁矩方向之间具有锐角夹角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 磁性随机存取存储单元以及存储器
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