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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化工艺；以及执行第二钨沉积工艺，该第二钨沉积工艺通过在原位氧化工艺之后的第二钨沉积工艺中，使含氟钨前驱气体流入真空外壳，而在第一钨层上沉积第二钨层。
主权项：1.一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：将所述衬底设置在钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，所述第一钨沉积工艺通过将含氟钨前驱气体流入所述真空外壳中而在所述衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当所述衬底保持在所述真空外壳内而不破坏真空时将所述第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从所述真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化处理；以及执行第二钨沉积工艺，所述第二钨沉积工艺通过在所述原位氧化工艺之后的所述第二钨沉积工艺中，使所述含氟钨前驱气体流入所述真空外壳，而在所述第一钨层上沉积第二钨层；并且其中执行所述原位氧化工艺包括：将所述第一钨层暴露于所述氧化剂气体以在所述第一钨层上形成氟氧化钨层；将所述衬底预热到至少110摄氏度，以使所述氟氧化钨层升华为所述氟氧化钨气体；以及将所述氟氧化钨气体从所述真空外壳中抽出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备
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