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申请/专利权人：株式会社斯库林集团
摘要：本发明提供一种即使形成有多层薄膜也能够正确地测定基板的温度的热处理方法以及热处理装置。设定并输入形成在半导体晶圆的正面的薄膜的膜信息、半导体晶圆的基板信息、以及上部辐射温度计的设置角度。基于所述各种信息来计算形成有多层膜的半导体晶圆的正面的辐射率。该辐射率是从上部辐射温度计的设置角度所观察到的半导体晶圆的表观辐射率。进而，基于上部辐射温度计的感度分布求出半导体晶圆的正面的辐射率的加权平均值。使用所求出的辐射率的加权平均值测定热处理时半导体晶圆的正面温度。因为是基于膜信息等求出辐射率，所以即使形成有多层薄膜也能够正确地测定半导体晶圆的正面温度。
主权项：1.一种热处理方法，其特征在于：该热处理方法是通过对形成有薄膜的基板照射闪光来加热该基板，且具备：辐射率计算步骤，基于形成在所述基板上的所述薄膜的膜种类、所述薄膜的膜厚、所述薄膜的层构成、所述基板的种类、以及对所述基板的温度进行测定的辐射温度计的设置角度来计算从所述辐射温度计所观察到的所述基板的辐射率；以及温度测定步骤，将所述辐射率计算步骤中所计算出的所述辐射率设定在所述辐射温度计中，利用所述辐射温度计测定通过闪光照射进行加热后的所述基板的温度；且在所述辐射率计算步骤中，基于所述辐射温度计的测定波长区域的感度分布来计算所述基板的辐射率的加权平均值；在所述温度测定步骤中，将所述辐射率的所述加权平均值设定在所述辐射温度计中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社斯库林集团 热处理方法以及热处理装置
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