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申请/专利权人：日升存储公司
摘要：各种方法克服了局限性，并且通过以下来实现出色的缩放i用具有较低挑战性的纵横比的两个或更多个蚀刻步骤替换高度挑战性的高纵横比的单个蚀刻步骤，并且涉及更宽和机械稳定性更高的有源条带，ii在高纵横比蚀刻步骤和后续处理步骤中使用电介质支柱来支撑和保持结构稳定性，或iii使用多个遮蔽步骤以提供具有较低挑战性的纵横比的两个或更多个蚀刻步骤，并且涉及更宽且机械稳定性更高的有源条带。
主权项：1.一种高纵横比蚀刻的方法，包括：在半导体基板的表面上方制备多个材料多层，所述多个材料多层沿着正交于所述半导体基板的表面的第一方向上下叠置，其中每个材料多层包括第一半导体层和第二半导体层；使用第一掩模沿着所述第一方向图案化和蚀刻材料多层以形成沟槽的第一集合，所述沟槽的第一集合将所述材料多层划分成多层堆叠体的第一群组，其中所述沟槽的第一集合中的每一个沿着平行于所述半导体基板的表面的第二方向延伸；用电介质材料填充所述沟槽的第一集合；以及使用第二掩模沿着所述第一方向图案化和蚀刻多层堆叠体的第一群组以形成沟槽的第二集合，所述沟槽的第二集合平行于所述沟槽的第一集合且将多层堆叠体的第一群组划分成多层堆叠体的第二群组，所述沟槽的第二集合中的每个沟槽位于所述沟槽的第一集合中的两个邻近的沟槽之间，其中所述沟槽的第二集合中的每一个沿着平行于所述沟槽的第一集合的第二方向延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日升存储公司 用于形成多层水平NOR型薄膜存储器串的方法
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