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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种以金属为控制栅极的NorFlash制造方法，提供衬底，衬底上具有存储区和逻辑区，存储区和逻辑区上分别形成有第一、二栅极叠层以及形成于第一、二栅极叠层侧壁上的第一、二侧墙；在衬底上金属硅化物阻挡层，在金属硅化物阻挡层上形成刻蚀停止层，形成覆盖刻蚀停止层的第一层间介质层，研磨第一层间介质层至刻蚀停止层上；刻蚀刻蚀停止层及其下方的金属硅化物阻挡层至第二多晶硅栅极层裸露，去除裸露的第二多晶硅硅栅极形成凹槽；在凹槽中形成高K介电层以及填充剩余凹槽的伪栅层；形成覆盖伪栅层、第一层间介质层的第二层间介质层，之后打开第三多晶硅栅极层上的叠层。本发明可实现具有金属控制栅的存储单元的新型NorFlash。
主权项：1.一种以金属为控制栅极的NorFlash制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上具有存储区和逻辑区，所述存储区和所述逻辑区上分别形成有第一、二栅极叠层以及形成于所述第一、二栅极叠层侧壁上的第一、二侧墙，所述第一栅极叠层由自下而上依次堆叠的第一栅极介电层、第一多晶硅栅极层、极间介电层、第二多晶硅栅极层组成，所述第二栅极叠层由自下而上依次堆叠的第二栅极介电层、第三多晶硅栅极层组成；步骤二、在所述衬底上金属硅化物阻挡层，在所述金属硅化物阻挡层上形成刻蚀停止层，形成覆盖所述刻蚀停止层的第一层间介质层，研磨所述第一层间介质层至所述刻蚀停止层上；步骤三、刻蚀所述刻蚀停止层及其下方的所述金属硅化物阻挡层至所述第二多晶硅栅极层裸露，去除裸露的所述第二多晶硅硅栅极形成凹槽；步骤四、在所述凹槽中形成高K介电层以及填充剩余所述凹槽的伪栅层；步骤五、形成覆盖所述伪栅层、所述第一层间介质层的第二层间介质层，之后打开所述第三多晶硅栅极层上的叠层，在所述第三多晶硅栅极层上形成金属硅化物；步骤六、在所述衬底上形成覆盖所述存储区和所述逻辑区的第三层间介质层，研磨所述第三层间介质层至所述伪栅层裸露，去除所述伪栅层，形成填充剩余所述凹槽的金属栅极结构；步骤七、在所述衬底上形成覆盖所述存储区和所述逻辑区的第四层间介质层，在所述第四层间介质层上用于引出各器件的接触件。
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权利要求：
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