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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本申请公开了一种NOR存储器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，NOR存储器件包括：半导体衬底，一侧表面内具有阱区；堆叠层，设置在阱区的表面上；贯穿堆叠层的栅极结构；在第一方向上，堆叠层包括：依次层叠的多个存储单元；相邻两个存储单元之间具有隔离层，隔离层用于降低漏电流和或降低层间电容。本申请通过隔离层能够降低漏电流和或降低层间电容，以实现相邻存储单元之间的隔离，解决了NOR存储器件由于存储单元垂直方向上隔离困难不能进行三维堆叠问题，使得NOR存储器件中存储单元能够在第一方向上进行堆叠设置，提高了NOR存储器件的集成度，可以在有限的面积内设置更多的存储单元，提高了NOR存储器件的存储能力。
主权项：1.一种NOR存储器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面内具有阱区；堆叠层，所述堆叠层设置在所述阱区的表面上；贯穿所述堆叠层的栅极结构；其中，在第一方向上，所述堆叠层包括：依次层叠的多个存储单元；相邻两个所述存储单元之间具有隔离层，所述隔离层用于降低漏电流和或降低层间电容；所述第一方向垂直于所述半导体衬底所在平面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种NOR存储器件及其制作方法
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