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申请/专利权人：中国石油大学(华东)
摘要：本发明提供了一种表面晶格共振SLRs超表面器件，其包括：基底；周期性阵列排布于基底上的U型分裂环金属结构单元；以及将U型分裂环金属结构单元掩埋于其中以提供均匀折射率背景的掩埋材料。当U型分裂环金属结构单元阵列排布的周期取为最优值1050nm，且线偏振光垂直入射到该超表面器件上时，该超表面器件透射谱中出现三个共振峰，其中，共振波长1536nm处的共振峰的半峰宽为0.12nm、共振振幅为0.8，由此该超表面器件实现数值高达12800的Q因子。该Q因子目前不仅在支持SLRs的金属阵列中，而且在其他金属结构中都是最高的，这对于探索高Q因子等离子共振的潜在应用具有重要意义。
主权项：1.一种表面晶格共振超表面器件，其特征在于，包括：基底；周期性阵列排布于所述基底上的U型分裂环金属结构单元；以及将所述U型分裂环金属结构单元掩埋于其中以提供均匀折射率背景的掩埋材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国石油大学(华东) 一种表面晶格共振超表面器件
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