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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种对基板进行处理的方法，所述方法包括：对第一基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，第一基板是由半导体材料或压电材料制成的基板；通过对去污基板特别是硅基板进行热处理来对执行热处理的设备进行去污的步骤；以及随后的对第二基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，第一基板是由半导体材料或压电材料制成的基板。
主权项：1.一种对基板进行处理的方法，所述方法包括：-对第一基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，所述第一基板是包括半导体材料或压电材料的基板，随后-降低执行热处理的所述设备的由污染金属元素造成的污染水平的步骤，该步骤通过对去污基板特别是硅基基板更特别是由单晶硅或多晶硅或多孔硅或SiOCH制成的基板执行热处理来进行，以及随后-对第二基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的所述设备中执行的至少一个步骤，所述第二基板是包括半导体材料或压电材料的基板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 对基板进行处理的方法
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