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申请/专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
摘要：本发明公开了一种改善Trench‑IGBT晶圆微形变的器件制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底上进行Ring光刻注入退火以及场氧氧化和光刻刻蚀，形成耐压场限环；在设计好的有源区进行Pwell注入和高温推阱，形成Pwell层，然后进行Trench光刻刻蚀，形成Trench槽形貌；生长栅氧化层和多晶硅淀积，并经过多晶光刻和刻蚀后形成栅极；进行N+光刻注入退火后形成发射极；进行ILD淀积隔离栅极和发射极，通过接触孔光刻和刻蚀形成接触孔；进行METAL溅射工艺，把栅极和发射极引出；进行PAD层的淀积和光刻刻蚀，得到器件。
主权项：1.一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上进行Ring光刻注入退火以及场氧氧化和光刻刻蚀，形成耐压场限环；在设计好的有源区进行Pwell注入和高温推阱，形成Pwell层，然后进行Trench光刻刻蚀，形成Trench槽形貌；生长栅氧化层和多晶硅淀积，并经过多晶光刻和刻蚀后形成栅极；进行N+光刻注入退火后形成发射极；进行ILD淀积隔离栅极和发射极，通过接触孔光刻和刻蚀形成接触孔；进行METAL溅射工艺，把栅极和发射极引出；进行PAD层的淀积和光刻刻蚀，得到器件；其中，Ring注入的剂量和能量满足Pwell注入的剂量和能量的补偿作用；所述栅氧化层的生长方法包括：利用炉管生长栅氧化层；所述炉管为垂直式炉管或水平式炉管；所述栅氧化层的厚度为500-5000埃；所述多晶硅的淀积方法包括：低压化学气相淀积法；所述多晶硅的厚度为2000-20000埃。
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权利要求：
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