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申请/专利权人：西北核技术研究所
摘要：本发明为解决现有中子探测器难以实现在场致发射严重的加速器上测量电子打靶产生中子的技术问题，而提供了一种基于带电粒子产生二次电子的MCP中子探测系统及测量方法。本发明是通过MCP测量入射中子与1H、10B作用产生的带电粒子在涂层表面产生的二次电子，二次电子经电场加速至几百eV进入磁场，然后经磁场偏转入射至MCP探测器，并在MCP探测器中的倍增输出脉冲电流信号，从而实现对中子的测量。本发明为超快脉冲中子探测提供了一种新的思路和技术方法，可弥补相关探测方法的不足，与现有方法相比在某些特定应用场景下具有明显优势。
主权项：1.一种基于带电粒子产生二次电子的MCP中子探测系统，其特征在于：包括复合转换靶1、涂层2、栅网电极板3、二极偏转磁铁5、设置在二极偏转磁铁5出射口的MCP探测器9以及用于记录输出信号的示波器11；所述复合转换靶1为聚乙烯靶，聚乙烯靶的带电粒子出射面镀有10B；所述涂层2为二次电子系数高的薄膜，镀设在10B的带电粒子出射面；所述栅网电极板3设置在涂层2的带电粒子出射面与二极偏转磁铁5的带电粒子入射面之间；所述栅网电极板3为细小的金属镍丝织成的网格，栅网厚约20μm，每个网格大小约为80μm×80μm，网格间距约为100μm；所述栅网电极板3包括两片栅网，两片栅网分别设置在涂层2的带电粒子出射面与二极偏转磁铁5的带电粒子入射面上，且两片栅网相距1cm；所述二极偏转磁铁5上开设有带电粒子出射通孔7，出射通孔7的出射口使用铍窗8密封；所述栅网电极板3、二极偏转磁铁5和MCP探测器9分别通过电源4、磁铁电源6和高压电源10供电。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北核技术研究所 基于带电粒子产生二次电子的MCP中子探测系统及测量方法
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