龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了一种实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，具体包括如下步骤：步骤1，测定氧等离子体基片周围磁镜处的悬浮电位Vf；步骤2，对碳膜进行氧等离子体刻蚀加工；步骤3，根据步骤1测定的悬浮电位Vf进行氧等离子体刻蚀过程中离子轰击和电子轰击的切换。本发明通过调控参数可实现氧等离子体刻蚀过程中将正离子引出或将电子引出轰击碳膜表面对其进行表层改性，解决了现有氧等离子体刻蚀仅能将正离子引出的问题，扩充了氧等离子体加工对碳膜结构和性能的调控作用，丰富了氧等离子体加工方法的使用范围和应用场合。
主权项：1.实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤1，测定氧等离子体基片周围磁镜处的悬浮电位Vf；步骤2，对碳膜进行氧等离子体刻蚀加工；步骤3，根据步骤1测定的悬浮电位Vf进行氧等离子体刻蚀过程中离子轰击和电子轰击的切换；所述步骤3中的具体过程为：当基片偏压60调节至低于悬浮电位Vf时，实现了离子轰击辅助的氧等离子体刻蚀；当基片偏压60调节至高于悬浮电位Vf时，实现了电子轰击辅助的氧等离子体刻蚀；通过改变ECR装置中基片偏压60与悬浮电位Vf的大小关系即实现氧等离子体刻蚀过程中离子轰击和电子轰击的切换。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号