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申请/专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司
摘要：本发明公开了一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜。本发明在AR膜表面通过微刻蚀叠加石墨轰击处理，得到了高耐磨性、高寿命、AR和AF之间附着力强的AR+AF膜，并且产品的光学性能不会受到影响，所述方法适用于不同基材的最外层为SiO2的各种材质各种厚度的AR。
主权项：1.一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，其特征在于，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜。
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权利要求：
百度查询： 湘潭宏大真空技术股份有限公司 一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法
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