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申请/专利权人：苏州高芯众科半导体有限公司
摘要：本申请涉及液晶面板处理技术领域，尤其是涉及一种TF液晶面板刻蚀腔铝板清洁再生的方法,包括以下步骤：将磁控溅射法形成铜硅粘连的铝板经机械削剥到铝板原厚度；在氨水中滴加氯化铵和酒石酸铵形成清洗液，将机械削剥后的铝板放置在清洗液内，浸泡反应；在去离子水中添加氟化铵、过硫酸铵和乙酸，并调节pH至3‑4形成混合液，将铝板浸泡在混合液中反应；反应结束，对铝板进行清洗、干燥、冷却，并用铝粉喷压到铝板表面，恢复到原来厚度。本申请采用理化混合法除去铝板上的铜硅，以高效率、低成本的运行方式，既保证了铝板的厚度不变，同时化学试剂消耗和废液处理费用综合成本低，降低了生产成本。
主权项：1.一种TF液晶面板刻蚀腔铝板清洁再生的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，将磁控溅射法形成铜硅粘连的铝板经机械削剥到铝板原厚度，将超出原始铝板的质量为铜硅的附着量，并记为G；S2，在氨水中滴加氯化铵和酒石酸铵形成清洗液，将机械削剥后的铝板放置在清洗液内，浸泡反应；反应结束后，排出清洗液，将铝板用去离子水冲洗；S3，在去离子水中添加氟化铵、过硫酸铵和乙酸，并调节pH至3-4形成混合液，将冲洗后的铝板嵌有铜硅的一面浸泡在混合液中反应；S4，反应结束，对铝板进行清洗、干燥、冷却，并用铝粉喷压到铝板表面，恢复到原来厚度；所述S2中，所述氨水的浓度为10-12%，且添加氨水的摩尔数为3G64；所述氨水、氯化铵和酒石酸铵的摩尔比为3:0.5-1.5:0.1-1；所述S2中，将排出的清洗液调节pH至6.0-6.5，进行雾化干燥，得到氯化铜铵和酒石酸铵并溶解，加入碳酸铵后过滤、烘干即可；所述S3中，所述氟化铵的摩尔数为4G64；所述氟化铵、过硫酸铵和乙酸的摩尔比为80:0.5-1.5:1-3；所述S3中，将产生的反应物经氨水和十六烷基三甲基溴化铵进行处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州高芯众科半导体有限公司 TF液晶面板刻蚀腔铝板清洁再生的方法
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