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申请/专利权人：武汉泽声微电子有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种带隙基准电路，通过设置第一晶体单元和第二晶体单元实现了分压，使得第二晶体单元上产生的随温度变化会降低的第二电压也即CTAT电压得以减小，以使CTAT电压随温度变化后降低的幅度减小，由于带隙基准电路是通过PTAT电压随温度变化升高的电压来补偿CTAT电压随温度变化降低的电压，从而输出一个随温度变化基本不变的固定电压值，这样，第一电阻上产生的第一电压也即PTAT电压的需求降低，所以带隙基准电路中就不需要设置面积较大量级大的第一电阻，且第一晶体单元和第二晶体单元的面积均较小，从而达到减小了带隙基准电路整体占用面积的技术效果。
主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：电流生成单元、第一电阻、第一晶体单元、第二晶体单元；所述电流生成单元的第一端分别与所述第一晶体单元的输入端以及第一电阻的第一端电连接，所述第一晶体单元的输出端和所述第二晶体单元的输入端之间的公共端与所述第一电阻的第二端电连接；所述电流生成单元的第二端与电源端电连接；所述电流生成单元的第三端以及所述第二晶体单元的输出端接地；所述电流生成单元，用于基于所述电源端的电流，生成目标电流；所述电流生成单元，还用于将所述目标电流输入至所述第一电阻，以在所述第一电阻上生成第一电压，以及，将所述目标电流输入至所述第二晶体单元，以在第二晶体单元上生成第二电压，所述带隙基准电路基于所述第一电压和所述第二电压相加生成带隙基准电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉泽声微电子有限公司 带隙基准电路
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