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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种GaNHEMT结构太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极、漏电极、钝化层和微透镜，其中，衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间；钝化层位于势垒层、栅电极、源电极和漏电极上；微透镜位于钝化层上，且微透镜的表面呈凸起状以聚焦入射太赫兹波。该太赫兹探测器中设置表面呈凸起状的微透镜以聚焦入射太赫兹波，可以减小GaNHEMT结构太赫兹探测器对太赫兹波的接受面积，提高接受太赫兹波的效率，提高太赫兹探测器的响应度等各项指标，整体上提高该太赫兹探测器的探测信号的性能。
主权项：1.一种GaNHEMT结构太赫兹探测器，其特征在于，包括：衬底层1、复合缓冲层2、沟道层3、势垒层4、栅电极5、源电极6、漏电极7、钝化层8和微透镜9，其中，所述衬底层1、所述复合缓冲层2、所述沟道层3、所述势垒层4依次层叠；所述栅电极5、所述源电极6、所述漏电极7均位于所述势垒层4上，且所述栅电极5位于所述源电极6和所述漏电极7之间；所述钝化层8位于所述势垒层4、所述栅电极5、所述源电极6和所述漏电极7上；在所述钝化层8上制备介质层，并采用表面呈凸起状的光刻胶作为掩膜版，刻蚀所述光刻胶和所述介质层制备得到表面呈凸起状的微透镜9；所述微透镜9的一面为凸起状以聚焦入射太赫兹波，另一面为平面状，且所述平面状的表面与所述钝化层8上表面接触；所述微透镜9凸起处的厚度为50nm-10µm，所述微透镜9的凸起处是指微透镜9的厚度最大处。
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