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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
摘要：本发明提供一种电容隔离器及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该电容隔离器制备方法包括：分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片，发射机芯片和或接收机芯片设置有硅通孔；将发射机芯片和接收机芯片分别与隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器。使电容器的耐压性能不再受制于集成电路后端金属互联层的厚度，提高了电容器耐压，可以避免在金属间绝缘层的沉积过程中对硅衬底产生较大的机械应力，降低了衬底弯曲或碎裂和器件失效的风险，从而提高了器件的可靠性。通过将传统的二维集成电路转变为三维集成电路，提高芯片面积率用率，提供了更优的电路连接，降低应力引发器件失效的风险，提高器件可靠性。
主权项：1.一种电容隔离器制备方法，其特征在于，包括：分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片，所述发射机芯片和或所述接收机芯片设置有硅通孔；在所述发射机芯片或所述接收机芯片设置有硅通孔的情况下，将所述发射机芯片和所述接收机芯片中具有硅通孔的一者通过硅通孔与所述隔离电容芯片进行键合，将另一者通过其顶层的金属层与所述隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器；其中，所述隔离电容芯片上设置有第二电极板，所述发射机芯片和所述接收机芯片中不具有硅通孔的一者，其顶层的金属层上设置有第一电极板，所述发射机芯片和所述接收机芯片中具有硅通孔的一者通过硅通孔与所述第二电极板连接，另一者通过所述第一电极板与所述隔离电容芯片上未设置电极板的一端连接；在所述发射机芯片和所述接收机芯片均设置有硅通孔的情况下，将所述发射机芯片和所述接收机芯片分别通过硅通孔与所述隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器；其中，所述隔离电容芯片上设置有第一电极板和第二电极板，所述发射机芯片和所述接收机芯片中任一者通过硅通孔与所述第一电极板连接，另一者通过硅通孔与所述第二电极板连接。
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