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申请/专利权人：合肥芯谷微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法，所述方法包括如下步骤：1对砷化镓晶圆的正面涂布透明保护层后进行第一热处理，然后对第一热处理得到的砷化镓晶圆的表面涂布液态蜡后进行第二热处理，得到预处理晶圆；2将载盘与步骤1所得预处理晶圆进行压合，然后对预处理晶圆进行背面加工；将预处理晶圆进行载盘剥离后依次进行第一清洗与第二清洗，得到加工后的砷化镓晶圆；步骤1所述透明保护层的熔点高于液态蜡的熔点。本发明通过在砷化镓晶圆的表面涂布透明保护层，可以防止后续的背面加工及载盘剥离过程中对正面空气桥或图形造成损伤，从而提高产品良率。
主权项：1.一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1对砷化镓晶圆的正面涂布透明保护层后进行第一热处理，然后对第一热处理得到的砷化镓晶圆的表面涂布液态蜡后进行第二热处理，得到预处理晶圆；2将载盘与步骤1所得预处理晶圆进行压合，然后对预处理晶圆进行背面加工；将预处理晶圆进行载盘剥离后依次进行第一清洗与第二清洗，得到加工后的砷化镓晶圆；步骤1所述透明保护层的熔点高于液态蜡的熔点。
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权利要求：
百度查询： 合肥芯谷微电子股份有限公司 一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法
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