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申请/专利权人：河北同光半导体股份有限公司

摘要：一种改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法，涉及碳化硅技术领域，尤其涉及平整度出现局部异常的碳化硅衬底，其能够避免多次返工带来的加工成本损耗，同时提高成品合格率，改善碳化硅衬底质量，为外延材料的质量、器件制备提供可靠性。所述改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法中，先对平整度异常的衬底进行厚度测试并分选，再根据平整度LTV和TTV的分布进行分析并作出区域定位，然后根据平整度异常位置确定衬底在陶瓷盘上的贴片方向，最后根据LTV和TTV的测试值选择匹配去除量的粗抛和精抛工艺进行抛光，最终实现整片平整度均匀性。

主权项：1.一种改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法，其特征在于，包括以下步骤：测试衬底的厚度，并按照衬底厚度数值对衬底进行筛选加工分批，同批次加工的衬底厚度差在±2.5μm；参照衬底的平整度分布图和数据进行区域定位分类；贴片方向确定：根据衬底平整度异常点的位置确定衬底在陶瓷盘的贴片方向；工艺确定：将衬底的贴片方式与加工的压力、温度、时间进行综合匹配，选择合适的工艺进行化学机械抛光，最终实现整片平整度均匀；并且，化学机械抛光分为两步，粗抛和精抛；其中，4inch半绝缘衬底厚度控制范围为：490μm≤h-y1+y2≤515μm；6inch半绝缘衬底厚度控制范围为：490μm≤h-y1+y2≤520μm；6inch导电型衬底厚度控制范围为：330μm≤h-y1+y2≤375μm，h为第一步中测试的衬底厚度；具体地，所述粗抛使用的抛光垫为无纺布抛光垫，且所述粗抛工艺确定：y1=0.05x1+0.26x2+0.01x3-12.05；其中，y1代表粗抛去除量，x1代表粗抛压力，x2代表粗抛温度，x3代表粗抛加工时间，且x1的范围为150-180KG，x2的范围为25-30℃，x3的范围为120min-150min；所述精抛使用的抛光垫为阻尼布抛光垫，且所述精抛工艺确定：y2=0.00084z1-0.078z2+0.0048z3+0.86；其中，y2代表精抛去除量，z1代表精抛压力，z2代表精抛温度，z3代表精抛加工时间，且z1的范围为150-200KG，z2的范围为25℃，z3的范围为240min-350min。

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