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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法，其中该遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，包括具有第一导电态的一外延层、位于外延层中的数个沟槽、位于沟槽内的遮蔽栅极、位于沟槽内的遮蔽栅极上的控制栅极、位于遮蔽栅极与外延层之间的一绝缘层、位于控制栅极与外延层之间的一栅极氧化层、位于遮蔽栅极与控制栅极之间的栅间氧化层、位于沟槽底部的外延层内的一第一掺杂区与位于沟槽底部与第一掺杂区之间的一第二掺杂区。所述第一掺杂区具有第二导电态，所述第二掺杂区具有所述第一导电态，通过所述第二掺杂区的存在来减少漏电路径，以改善击穿电压。
主权项：1.一种遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法，包括：形成外延层，所述外延层具有第一导电态；在所述外延层中形成多个沟槽；在每个所述沟槽的底部的所述外延层内依序形成第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区具有第二导电态，所述第二掺杂区具有所述第一导电态；在每个所述沟槽内形成遮蔽栅极；氧化所述遮蔽栅极的顶面并且移除该顶面处的氧化物，以圆角化所述遮蔽栅极的顶面；以及在所述沟槽内的所述遮蔽栅极的顶面上直接沉积形成栅间氧化层，其中所述遮蔽栅极的所述顶面具有圆角，以改善所述栅间氧化层的沉积品质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
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