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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种具备更小寄生电容的SiC器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在沟槽栅SiCMOSFET的沟槽底部采用淀积介质的方式形成一层较厚的氧化物，减小了器件栅漏电极之间的耦合面积，从而减小了器件的栅漏电容，提高开关性能，并且淀积的氧化物将沟槽栅氧底部拐角填充，避免了常规沟槽栅SiCMOSFET在此处栅氧化层易引起电场集中而发生击穿失效的现象，提高了器件的长期使用可靠性。
主权项：1.一种具备更小寄生电容的SiC器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在N+Sub层（1）上外延生长N-Drift层（2）；S200，在N-Drift层（2）上通过Al离子注入形成P-base区（3）；S300，在P-base区（3）上通过N离子注入形成N+区（4）；S400，在N+区（4）上通过Al离子注入形成延伸至P-base区（3）内的P+区（5）；S500，在N+区（4）顶面向下刻蚀形成延伸至N-Drift层（2）内的沟槽区（6）；S600，在沟槽区（6）中通过淀积介质在沟槽底部形成一层氧化物（7）；S700，在沟槽侧壁通过干氧氧化方式生长一层与氧化物（7）连接的栅氧化层（8）；S800，在沟槽区通过淀积多晶硅方式在内部形成Poly层（9）；S900，Poly层（9）的顶面淀积一层分别与N+区（4）和栅氧化层（8）连接的隔离介质层（10），避免器件的门电极和源电极接触形成短接；S1000，在Poly层（9）的侧部，通过金属溅射后退火的方式形成分别与N+区（4）和P+区（5）连接的欧姆接触合金层（11）；S1100，在器件上方再次通过金属溅射方式形成一层正面电极金属层。
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权利要求：
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