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申请/专利权人：合肥大学

摘要：本发明提供了一种基于栅源并联支路的SiC驱动振荡抑制电路，属于功率半导体器件及其驱动技术领域。其技术方案为：通过在SiCMOSFET栅源引入并联支路，以在栅极驱动路径中加入适当的阻尼，抑制振荡。同时，根据开关过程线性等效电路的传递函数表达式构成适应度函数，利用粒子群算法，设计该并联支路的电路参数，进一步缩短开关过渡时间，提高开关频率，减少开关损耗。

主权项：1.一种基于栅源并联支路的SiC驱动振荡抑制电路，其特征在于，包括直流电源VDD、栅源并联支路、第一驱动电源V1、第一碳化硅功率管M1、第一杂散电感Lstray、第一杂散电阻Rstray、第二驱动电源V2、第二碳化硅功率管M2、两个第二杂散电感Lext、两个第二杂散电阻Rext、第一源极杂散电感Ls1、第二源极杂散电感Ls2、第一漏极杂散电感Ld1和第二漏极杂散电感Ld2；所述第一源极杂散电感Ls1的感值和第二源极杂散电感Ls2的感值相等，第一漏极杂散电感Ld1的感值和第二漏极杂散电感Ld2的感值相等；所述栅源并联支路由栅源电阻Req、栅源电容Ceq、栅源电感Leq并联组成，其一端顺序通过一个第二杂散电感Lext和一个第二杂散电阻Rext接第二驱动电源V2的阳极，另一端接第二碳化硅功率管M2的栅极；所述第一驱动电源V1的阳极顺序通过一个第二杂散电阻Rext和一个第二杂散电感Lext接第一碳化硅功率管M1的栅极；所述第一碳化硅功率管M1和第二碳化硅功率管M2结构相同，均包括N沟道增强型场效应管、内部寄生电感Lin、内部寄生电阻Rint、反向传输电容Cgd、输出电容Cds、输入电容Cgs和二极管D；所述反向传输电容Cgd、输出电容Cds、输入电容Cgs顺序串联，并组成一个闭环回路；所述二极管D的阴极、N沟道增强型场效应管的漏极d接入反向传输电容Cgd和输出电容Cds的连线，所述二极管D的阳极、N沟道增强型场效应管的源极ks接入输出电容Cds和输入电容Cgs的连线，所述N沟道增强型场效应管的栅极g接入反向传输电容Cgd和输入电容Cgs的连线，并与内部寄生电感Lin相接，内部寄生电感Lin的另一端接内部寄生电阻Rint，并将内部寄生电阻Rint的另一端记为G端；所述第一碳化硅功率管M1中的G端构成第一碳化硅功率管M1的栅极，所述第二碳化硅功率管M2中的G端构成第二碳化硅功率管M1的栅极；将所述第一碳化硅功率管M1和第二碳化硅功率管M2中的N沟道增强型场效应管分别记为第一效应管Q1和第二效应管Q2；所述第一效应管Q1的漏极d顺序和第一源极杂散电感Ls1、第一杂散电感Lstray、第一杂散电阻Rstray串联后接直流电源VDD的阳极；所述第一效应管Q1的源极ks接第一漏极杂散电感Ld1，第一漏极杂散电感Ld1的另一端分别接第一驱动电源V1的负极和第二漏极杂散电感Ld2，第二漏极杂散电感Ld2的另一端接入第二效应管Q2的漏极d；所述第二效应管Q2的源极ks接第二源极杂散电感Ls2，第二源极杂散电感Ls2的另一端分别接第二驱动电源V2的负极和直流电源VDD的负极。

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