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垂直腔面发射激光器器件的寄生电容控制的电镀沟槽 

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申请/专利权人:朗美通经营有限责任公司

摘要:一种垂直腔表面发射激光器VCSEL器件包括第一分布式布拉格反射器DBR镜;布置在第一DBR镜上的第二DBR镜;布置在第一DBR镜和第二DBR镜之间的有源层;以及布置在有源层和第二DBR镜之间的氧化层。氧化层包括穿过氧化层形成的氧化物孔径。多个分段氧化沟槽布置在形成氧化物孔径的区域周围,并延伸到堆叠结构中以暴露用于形成氧化物孔径的氧化的氧化层。多个电镀岛在空间上彼此分离。每个电镀岛垂直延伸到多个分段氧化沟槽中的相应分段氧化沟槽中,并密封相应分段氧化沟槽,以防止氧化层的进一步氧化。

主权项:1.一种垂直腔表面发射激光器VCSEL器件,包括:包括主表面的器件结构,其中器件结构包括堆叠结构,堆叠结构包括:第一分布式布拉格反射器DBR镜;布置在第一DBR镜上的第二DBR镜;有源层,其包括一个或多个量子阱并配置成产生激光,其中有源层布置在第一DBR镜和第二DBR镜之间;和氧化层,其布置在有源层和第二DBR镜之间,其中氧化层包括穿过氧化层形成的氧化物孔径,用于限制流向有源层的电流,有源层产生光以形成激光束;多个分段氧化沟槽,其从主表面延伸到器件结构中以暴露用于形成氧化物孔径的氧化的氧化层,其中多个分段氧化沟槽围绕器件结构的其中形成氧化物孔径的器件区域的外围布置;以及多个电镀岛,其在空间上彼此分离,其中多个电镀岛中的每个电镀岛垂直延伸到多个分段氧化沟槽中的相应分段氧化沟槽中,并密封相应分段氧化沟槽以防止氧化层的进一步氧化。

全文数据:

权利要求:

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