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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明的基于光激活碳缺陷大规模制备图案化量子光源的方法，包括以下步骤，S1，剥离出二维hBN薄片；S2，将步骤S1制备的二维hBN薄片转移至PDMS薄片基底上；S3，通过PDMS薄片基底将二维hBN薄片转移至二氧化硅衬底片上；S4，采用高功率密度连续激光对二维hBN薄片进行辐照，通过高功率连续激光的激发，从而形成量子光源；S5，换用低功率激光激发下步骤S4获得的hBN薄片量子光源，量子光源产生荧光；S6，移动带有hBN薄片的衬底片，以控制hBN薄片被激光辐照的区域的移动，在hBN薄片上实现定制的图案化大规模量子光源。本发明提供一种简单高效、大规模制备高亮度、高重复度的量子光源的制备方法。
主权项：1.基于光激活碳缺陷大规模制备图案化量子光源的方法，其特征在于：包括以下步骤，S1，剥离出二维hBN薄片；S2，将步骤S1制备的二维hBN薄片转移至PDMS薄片基底上；S3，通过PDMS薄片基底将二维hBN薄片转移至二氧化硅衬底片上；S4，采用高功率密度连续激光对二维hBN薄片进行辐照，通过高功率连续激光的激发，入射光子的能量远大于碳相关缺陷在晶格中迁移需要克服的势垒，并使得hBN薄片中热效应累积，碳相关缺陷热运动加剧，原本激光辐照处均匀分布的碳缺陷在高功率连续激光的作用下富集，在激光辐照的区域结合形成更低能的C2CN、C2CB、C2等缺陷态，从而形成量子光源；S5,换用低功率激光激发步骤S4获得的hBN薄片量子光源，量子光源产生荧光，且富集碳相关缺陷的存在通过拉曼光谱上新出现的两个特征峰表征；S6，移动带有hBN薄片的衬底片，以控制hBN薄片被激光辐照的区域的移动，在hBN薄片上实现定制的图案化大规模量子光源。
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