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申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
摘要：本公开涉及内置参考的低功耗和高精度电压监测。一种电压监测电路，用于发出信号，指示输入电压是否高于或低于与硅的带隙电压成比例的内部建立的参考电平。电压监测电路减轻了通常与带隙参考生成相关联的主要误差源，使得可以以低功率成本实现高精度和良好性能。与其他解决方案相比，这些技术允许以更高的精度、更低的功耗、更小的面积成本和更低的电源电压来实现电压监测器例如，断电和通电复位POR检测器。
主权项：1.一种电压监测电路，所述电压监测电路具有内置参考并且被配置为监测电压，所述压力监测电路包括：闭环电路分支，包括：第一双极结型晶体管BJT，具有：第一集电极，被配置为产生第一集电极电流，其中所述第一集电极电流是监测的电压的函数；和第一发射极，耦合到参考节点；偏置网络，耦合到所述第一BJT的第一基极，并且被配置为产生至少依赖于监测的电压的第一电压以偏置第二BJT，所述偏置网络包括第一电流源，所述第一电流源被配置为吸收与所述第一集电极电流成比例的第一电流；和第二电流源，耦合到电源节点并且被配置为向电流比较节点提供与所述第一集电极电流成比例的第二电流；所述第二BJT具有：第二基极，耦合到所述第一电压；第二发射极，耦合到所述参考节点；第二集电极，耦合到所述电流比较节点并且被配置为接收第二集电极电流，其中所述电流比较节点被配置为生成表示所述第二电流的表示与所述第二集电极电流的表示之间的比较的信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 内置参考的低功耗和高精度电压监测器
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