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申请/专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
摘要：一种SARADC的分裂式电容阵列及开关方法，涉及集成电路技术领域，电容阵列主要构成为：包括P端和N端电容阵列，每个电容阵列均包括两个相同的高段电容组和两个相同的低段电容组；每个高段电容组由高段二进制加权分裂电容阵列和一个CSAMPLE1电容以及一个COFFSET电容组成，其中：高段二进制加权分裂电容阵列是将标准二进制加权电容阵列中每位电容分裂成两个容值减半的分裂电容。本发明在转换阶段会提前对电容一半置高、一半置低，利用1C电容代替原电容阵列中最高位电容，在转换阶段引入了一个固定失调电压，本发明能减小由于MSB电容建立时间不足、基准抖动带来的误差所导致的量化噪声，并且提高ADC的响应速度。
主权项：1.一种SARADC的分裂式电容阵列，其特征在于：包括P端电容阵列和N端电容阵列，每个电容阵列均包括两个相同的高段电容组和两个相同的低段电容组；所述每个高段电容组由高段二进制加权分裂电容阵列和一个CSAMPLE1电容以及一个COFFSET电容组成，其中：高段二进制加权分裂电容阵列，是将标准二进制加权电容阵列中每位电容分裂成两个容值减半的分裂电容，其中1C电容不分裂；高段二进制加权分裂电容阵列中各分裂电容上极板并联后接比较器输入端，下极板分别通过开关择一地与参考电压VREF、地电位GND和采样信号VIN相连或悬空；CSAMPLE1电容上极板通过开关接比较器输入端或悬空，下极板通过开关择一地与参考电压VREF、地电位GND和采样信号VIN相连或悬空；COFFSET电容上极板接比较器输入端，下极板通过开关择一地与参考电压VREF、地电位GND相连；所述每个低段电容组由低段二进制加权分裂电容阵列构成，低段二进制加权分裂电容阵列也是将标准二进制加权电容阵列中每位电容分裂成两个容值减半的分裂电容，其中1C电容不分裂，低段二进制加权分裂电容阵列中各分裂电容上极板并联后通过一个桥接电容CH接比较器输入端，下极板分别通过开关择一地与参考电压VREF、地电位GND相连或悬空。
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